Производитель Номер продукта:
IPN60R2K1CEATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPN60R2K1CEATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
Подробное описание:
N-Channel 600 V 3.7A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-3
Инвентаризация:
11299 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12813053
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPN60R2K1CEATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolMOS™ CE
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3.7A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.1Ohm @ 800mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 60µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
6.7 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
140 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
5W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-SOT223-3
Упаковка / Чехол
TO-261-4, TO-261AA
Базовый номер продукта
IPN60R2
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
INFINFIPN60R2K1CEATMA1
2156-IPN60R2K1CEATMA1
IPN60R2K1CEATMA1TR
IPN60R2K1CEATMA1DKR
IPN60R2K1CEATMA1CT
SP001434886
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPW50R140CPFKSA1
MOSFET N-CH 550V 23A TO247-3
IPC100N04S52R8ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
IRL40B209
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
