Производитель Номер продукта:
IPN70R2K0P7SATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPN70R2K0P7SATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 700V 3A SOT223
Подробное описание:
N-Channel 700 V 3A (Tc) 6W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Инвентаризация:
5787 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12812013
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPN70R2K0P7SATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolMOS™ P7
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
700 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 30µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
3.8 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
130 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
6W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-SOT223
Упаковка / Чехол
TO-261-4, TO-261AA
Базовый номер продукта
IPN70R2
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
IPN70R2K0P7SATMA1-DG
IPN70R2K0P7SATMA1CT
IPN70R2K0P7SATMA1TR
IPN70R2K0P7SATMA1DKR
SP001664884
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI4420DY,518
MOSFET N-CH 30V SOT96-1
IPP60R280E6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-3
IRLR7807ZCTRRP
MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
