Производитель Номер продукта:
IPN70R750P7SATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPN70R750P7SATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223
Подробное описание:
N-Channel 700 V 6.5A (Tc) 6.7W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Инвентаризация:
14239 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12801229
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPN70R750P7SATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolMOS™ P7
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
700 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
750mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 70µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
306 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
6.7W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-SOT223
Упаковка / Чехол
TO-261-4, TO-261AA
Базовый номер продукта
IPN70R750
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
IPN70R750P7SATMA1-DG
SP001664912
IPN70R750P7SATMA1DKR
2156-IPN70R750P7SATMA1TR
IPN70R750P7SATMA1CT
IPN70R750P7SATMA1TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPP052NE7N3GHKSA1
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
IPA60R460CEXKSA1
MOSFET N-CH 600V 9.1A TO220-FP
IPD65R950CFDATMA2
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO252-3