Производитель Номер продукта:
IPN80R1K4P7ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPN80R1K4P7ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 4A SOT223
Подробное описание:
N-Channel 800 V 4A (Tc) 7W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Инвентаризация:
1921 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12859080
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPN80R1K4P7ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolMOS™ P7
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 70µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
250 pF @ 500 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
7W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-SOT223
Упаковка / Чехол
TO-261-4, TO-261AA
Базовый номер продукта
IPN80R1
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
2156-IPN80R1K4P7ATMA1
IFEINFIPN80R1K4P7ATMA1
SP001657528
IPN80R1K4P7ATMA1DKR
IPN80R1K4P7ATMA1CT
IPN80R1K4P7ATMA1TR
IPN80R1K4P7ATMA1-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTD14N03RG
MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
NTD20N06L-1G
MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
NTD23N03RT4
MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A DPAK