Производитель Номер продукта:
IPN80R3K3P7ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPN80R3K3P7ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223
Подробное описание:
N-Channel 800 V 1.9A (Tc) 6.1W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Инвентаризация:
13562 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12803473
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPN80R3K3P7ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolMOS™ P7
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.9A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.3Ohm @ 590mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 30µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
5.8 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
120 pF @ 500 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
6.1W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-SOT223
Упаковка / Чехол
TO-261-4, TO-261AA
Базовый номер продукта
IPN80R3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
IPN80R3K3P7ATMA1-DG
IPN80R3K3P7ATMA1CT
IPN80R3K3P7ATMA1TR
IPN80R3K3P7ATMA1DKR
SP001664992
2156-IPN80R3K3P7ATMA1TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFZ46ZPBF
MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB
IPW65R110CFDAFKSA1
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
IRFR4105TR
MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
