IPP016N06NF2SAKMA1
Производитель Номер продукта:

IPP016N06NF2SAKMA1

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IPP016N06NF2SAKMA1-DG

Описание:

TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 60 V 36A (Ta), 194A (Tc) 3.8W (Ta), 250W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-U05

Инвентаризация:

506 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12988061
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IPP016N06NF2SAKMA1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
StrongIRFET™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
36A (Ta), 194A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.3V @ 186µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
233 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
10500 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.8W (Ta), 250W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3-U05
Упаковка / Чехол
TO-220-3

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50
Другие названия
448-IPP016N06NF2SAKMA1
SP005742470

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SIHK125N60EF-T1GE3

E SERIES POWER MOSFET WITH FAST

infineon-technologies

IRFP4568PBFXKMA1

TRENCH >=100V PG-TO247-3

goford-semiconductor

G33N03D52

MOSFET N+N-CH 30V 33A DFN5*6-8L

infineon-technologies

IRFP4110PBFXKMA1

TRENCH >=100V PG-TO247-3