Производитель Номер продукта:
IPP023N10N5XKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPP023N10N5XKSA1-DG
Описание:
TRENCH >=100V
Подробное описание:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Инвентаризация:
443 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13001956
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPP023N10N5XKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
OptiMOS™ 5
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.8V @ 270µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
15600 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
375W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3-1
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
SP005573717
448-IPP023N10N5XKSA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RS1P090ATTB1
PCH -100V -33A POWER MOSFET: RS1
MCU40N10AHE3-TP
MOSFET N-CHANNEL MOSFET
ICE11N70FP
Superjunction MOSFET
