Производитель Номер продукта:
IPP026N04NF2SAKMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPP026N04NF2SAKMA1-DG
Описание:
TRENCH PG-TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 40 V 29A (Ta), 121A (Tc) 3.8W (Ta), 150W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-U05
Инвентаризация:
994 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13001690
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPP026N04NF2SAKMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
StrongIRFET™2
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
29A (Ta), 121A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.6mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.4V @ 81µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
102 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4800 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.8W (Ta), 150W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3-U05
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
448-IPP026N04NF2SAKMA1
SP005632915
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
MSC035SMA070J
MOSFET SIC 700 V 35 MOHM SOT-227
SIJH5800E-T1-GE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
MCU12P06Y-TP
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
