Производитель Номер продукта:
IPP026N10NF2SAKMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPP026N10NF2SAKMA1-DG
Описание:
TRENCH >=100V
Подробное описание:
N-Channel 100 V 27A (Ta), 184A (Tc) 3.8W (Ta), 250W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Инвентаризация:
1510 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12954567
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPP026N10NF2SAKMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
StrongIRFET™ 2
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
27A (Ta), 184A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.8V @ 169µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
154 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
7300 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.8W (Ta), 250W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IPP026N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
SP005548847
448-IPP026N10NF2SAKMA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFC9140NB
MOSFET 100V 23A DIE
SI4654DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 28.6A 8SO
IRF9530L
MOSFET P-CH 100V 12A I2PAK
