Производитель Номер продукта:
IPP048N12N3GXKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPP048N12N3GXKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 120 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Инвентаризация:
1395 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12801133
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPP048N12N3GXKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
120 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.8mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 230µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
182 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
12000 pF @ 60 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
300W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3-1
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IPP048
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
SP000652734
IPP048N12N3 G-DG
IPP048N12N3G
INFINFIPP048N12N3GXKSA1
IPP048N12N3 G
2156-IPP048N12N3GXKSA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPC70N04S54R6ATMA1
MOSFET N-CH 40V 70A 8TDSON-34
IPB075N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 50A D2PAK
IPI90R340C3XKSA2
MOSFET N-CH 900V 15A TO262-3
