Производитель Номер продукта:
IPP04CN10NGXKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPP04CN10NGXKSA1-DG
Описание:
MV POWER MOS
Подробное описание:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Инвентаризация:
12803860
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPP04CN10NGXKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
OptiMOS™ 2
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
13800 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
300W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IPP04CN10
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
448-IPP04CN10NGXKSA1
IPP04CN10NGXKSA1-DG
SP000680796
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPP039N10N5XKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
IPP039N10N5XKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.14
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPAW60R190CEXKSA1
MOSFET N-CH 600V 26.7A TO220
IPD035N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
IPA60R400CEXKSA1
MOSFET N-CH 600V 10.3A TO220-FP
