Производитель Номер продукта:
IPP051N15N5AKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPP051N15N5AKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 150V 120A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 150 V 120A (Tc) 300mW (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Инвентаризация:
12806243
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPP051N15N5AKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
OptiMOS™ 5
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
150 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
8V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5.1mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.6V @ 264µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
7800 pF @ 75 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
300mW (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IPP051
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
448-IPP051N15N5AKSA1
IPP051N15N5AKSA1-DG
SP001279600
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF7809TR
MOSFET N-CH 30V 17.6A 8SO
SPB80N04S2L-03
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
IRF3704L
MOSFET N-CH 20V 77A TO262
