Производитель Номер продукта:
IPP052N08N5AKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPP052N08N5AKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 80 V 80A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Инвентаризация:
4421 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12801463
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPP052N08N5AKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5.2mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.8V @ 66µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3770 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
125W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IPP052
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
IFEINFIPP052N08N5AKSA1
SP001227050
2156-IPP052N08N5AKSA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPB80N04S304ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
IPD80R1K0CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
IPB240N04S41R0ATMA1
MOSFET N-CH 40V 240A TO263-7