Производитель Номер продукта:
IPP052NE7N3GXKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPP052NE7N3GXKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 75 V 80A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Инвентаризация:
4678 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12801274
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPP052NE7N3GXKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
75 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5.2mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.8V @ 91µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4750 pF @ 37.5 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
150W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3-1
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IPP052
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
SP000641726
448-IPP052NE7N3GXKSA1
IPP052NE7N3 G-DG
IPP052NE7N3G
IPP052NE7N3 G
IPP052NE7N3GXKSA1-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPC100N04S402ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON
IAUC120N04S6L008ATMA1
MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33
IPD60R360P7SE8228AUMA1
MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
