Производитель Номер продукта:
IPP057N08N3GHKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPP057N08N3GHKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 80 V 80A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Инвентаризация:
12850999
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPP057N08N3GHKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 90µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4750 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
150W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IPP057M
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
SP000395165
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPP057N08N3GXKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
230
Номер части
IPP057N08N3GXKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.10
Тип замещения
Direct
Номер детали
AOT286L
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
AOT286L-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.96
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDS6375
MOSFET P-CH 20V 8A 8SOIC
BFL4036
MOSFET N-CH 500V 9.6A TO220FI
FQPF6N90CT
MOSFET N-CH 900V 6A TO220F
