Производитель Номер продукта:
IPP070N08N3GXKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPP070N08N3GXKSA1-DG
Описание:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Подробное описание:
N-Channel 80 V 80A (Tc) 136W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Инвентаризация:
7700 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12955151
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPP070N08N3GXKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Bulk
Серия
OptiMOS™ 3
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
7mOhm @ 73A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 73µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3840 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
136W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
310
Другие названия
2156-IPP070N08N3GXKSA1
INFINFIPP070N08N3GXKSA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
AO3459
MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23-3
2SK973L-E
GENERAL SWITCHING POWER MOSFET
IPBE65R099CFD7AATMA1
MOSFET N-CH 650V 24A TO263-7
