Производитель Номер продукта:
IPP076N12N3GXKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPP076N12N3GXKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 120 V 100A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Инвентаризация:
261 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12805104
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPP076N12N3GXKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
120 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
7.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 130µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
101 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6640 pF @ 60 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
188W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IPP076
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
SP000652736
IPP076N12N3G
IPP076N12N3 G-DG
IPP076N12N3 G
IPP076N12N3GXKSA1-DG
448-IPP076N12N3GXKSA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFR9024NPBF
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
IRF6706S2TR1PBF
MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
IRFR4105TRL
MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
