Производитель Номер продукта:
IPP100N06S205AKSA2
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPP100N06S205AKSA2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 55 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Инвентаризация:
12805037
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPP100N06S205AKSA2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
55 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5110 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
300W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3-1
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IPP100N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
INFINFIPP100N06S205AKSA2
SP001067938
2156-IPP100N06S205AKSA2-IT
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
PSMN3R9-60PSQ
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Nexperia USA Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
5021
Номер части
PSMN3R9-60PSQ-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.29
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFR120NPBF
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
IPZA60R060P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 48A TO247-4
IRFR3711ZTRL
MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
