Производитель Номер продукта:
IPP100N06S3-04
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPP100N06S3-04-DG
Описание:
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 55 V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Инвентаризация:
12823353
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPP100N06S3-04 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
55 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 150µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
314 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
14230 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
214W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3-1
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IPP100N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
IPP100N06S304XK
IPP100N06S304X
IPP100N06S3-04IN
SP000102212
IPP100N06S3-04-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IXTP90N055T2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
IXTP90N055T2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.06
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
R6020JNZC17
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
IRFS33N15D
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
IRL1404ZSPBF
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
