Производитель Номер продукта:
IPP100P03P3L-04
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPP100P03P3L-04-DG
Описание:
MOSFET P-CH 30V 100A TO220-3
Подробное описание:
P-Channel 30 V 100A (Tc) 200W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Инвентаризация:
12802968
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPP100P03P3L-04 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.3mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.1V @ 475µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
+5V, -16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
9300 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
200W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3-1
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IPP100P
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
SP000311114
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF9388PBF
MOSFET P-CH 30V 12A 8SO
IPP50N10S3L16AKSA1
MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3
BSP603S2LHUMA1
MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT223-4