Производитель Номер продукта:
IPP114N03LGHKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPP114N03LGHKSA1-DG
Описание:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Подробное описание:
N-Channel 30 V 30A (Tc) 38W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Инвентаризация:
12496 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12954963
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPP114N03LGHKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Bulk
Серия
OptiMOS™ 3
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
11.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1500 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
38W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3-1
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
944
Другие названия
IFEINFIPP114N03LGHKSA1
2156-IPP114N03LGHKSA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
Not applicable
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRC540PBF
MOSFET N-CH 100V 28A TO220-5
SQ4153EY-T1_BE3
MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
FCPF380N60E-F154
MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F-3
