Производитель Номер продукта:
IPP410N30NAKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPP410N30NAKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 300V 44A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 300 V 44A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Инвентаризация:
488 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12802610
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPP410N30NAKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
300 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
44A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
41mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 270µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
7180 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
300W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IPP410
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
SP001082134
IPP410N30NAKSA1-DG
448-IPP410N30NAKSA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPA95R750P7XKSA1
MOSFET N-CH 950V 9A TO220
IRF3710SPBF
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
AUIRLR3636
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
