Производитель Номер продукта:
IPP60R022S7XKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPP60R022S7XKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 23A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 600 V 23A (Tc) 390W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Инвентаризация:
177 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12822867
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPP60R022S7XKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™S7
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
12V
Rds On (макс.) @ id, vgs
22mOhm @ 23A, 12V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 1.44mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
150 nC @ 12 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5639 pF @ 300 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
390W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3-1
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IPP60R022
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
448-IPP60R022S7XKSA1
SP003393028
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRL3713STRLPBF
MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK
BUK9618-55A,118
MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK
IRL3202PBF
MOSFET N-CH 20V 48A TO220AB
