Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IPP60R125P6XKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPP60R125P6XKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 30A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 219W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12804032
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPP60R125P6XKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™ P6
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
125mOhm @ 11.6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 960µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2660 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
219W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IPP60R125
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IPP60R125P6XKSA1
HTML Спецификация
IPP60R125P6XKSA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
IPP60R125P6XKSA1-DG
448-IPP60R125P6XKSA1
SP001114648
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
FCP125N60E
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
253
Номер части
FCP125N60E-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.44
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
FCP130N60
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Fairchild Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
127
Номер части
FCP130N60-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.72
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
AOTF42S60L
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1270
Номер части
AOTF42S60L-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.89
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF6626TR1
MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
IPW60R037P7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
MIC94030YM4-TR
MOSFET P-CH 16V 1A SOT-143
IRFS7534PBF
MOSFET N CH 60V 195A D2PAK