Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
ДР Конго
Аргентина
Турция
Румыния
Литва
Норвегия
Австрия
Ангола
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Беларусь
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Черногория
Русский
Бельгия
Швеция
Сербия
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Молдова
Германия
Нидерланды
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
Франция
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Португалия
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Испания
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IPP60R180P7XKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPP60R180P7XKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 650 V 18A (Tc) 72W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12806034
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPP60R180P7XKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™ P7
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
180mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 280µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1081 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
72W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IPP60R180
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IPP60R180P7XKSA1
HTML Спецификация
IPP60R180P7XKSA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
SP001606038
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STP24N60M2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
189
Номер части
STP24N60M2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.21
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
TPH3206PS
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Transphorm
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
341
Номер части
TPH3206PS-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
4.91
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
TK17E65W,S1X
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
12
Номер части
TK17E65W,S1X-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.35
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STP24N60DM2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
105
Номер части
STP24N60DM2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.48
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IPW60R180P7XKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
237
Номер части
IPW60R180P7XKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.54
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPS70R950CEAKMA1
MOSFET N-CH 700V 7.4A TO251
IRLR3410TRRPBF
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
IRFP90N20DPBF
MOSFET N-CH 200V 94A TO247AC
IRF540ZPBF
MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB