Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IPP60R520E6XKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPP60R520E6XKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 600 V 8.1A (Tc) 66W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12805973
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPP60R520E6XKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8.1A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
520mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 230µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
23.4 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
512 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
66W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IPP60R
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IPP60R520E6XKSA1
HTML Спецификация
IPP60R520E6XKSA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
IFEINFIPP60R520E6XKSA1
IPP60R520E6
SP000797294
IPP60R520E6-DG
2156-IPP60R520E6XKSA1-IT
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STP13N80K5
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
312
Номер части
STP13N80K5-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.60
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STP13NK60Z
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
770
Номер части
STP13NK60Z-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.07
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STP13N65M2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
STP13N65M2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.76
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STP10NM60N
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1163
Номер части
STP10NM60N-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.29
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
FCP11N60F
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
996
Номер части
FCP11N60F-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.38
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFP4868PBF
MOSFET N-CH 300V 70A TO247AC
SPP20N60CFDHKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3
IRFB4227PBF
MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB
IRL2505STRRPBF
MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK