Производитель Номер продукта:
IPP65R050CFD7AAKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPP65R050CFD7AAKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 45A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 650 V 45A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Инвентаризация:
12978134
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPP65R050CFD7AAKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
*
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
50mOhm @ 24.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 1.24mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
102 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4975 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
227W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IPP65R050
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
448-IPP65R050CFD7AAKSA1
SP003793132
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPWS65R050CFD7AXKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
81
Номер части
IPWS65R050CFD7AXKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
6.44
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BUK7611-55A,118
NOW NEXPERIA BUK7611-55A - 75A,
IPW65R099CFD7AXKSA1
MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3-41
AON6104FH
MOSFET N-CH 8DFN 5X6
