IPP65R060CFD7XKSA1
Производитель Номер продукта:

IPP65R060CFD7XKSA1

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IPP65R060CFD7XKSA1-DG

Описание:

650V FET COOLMOS TO247
Подробное описание:
N-Channel 650 V 36A (Tc) 171W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1

Инвентаризация:

12945771
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IPP65R060CFD7XKSA1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™ CFD7
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
60mOhm @ 16.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 860µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3288 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
171W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3-1
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IPP65R060

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50
Другие названия
SP005433687
448-IPP65R060CFD7XKSA1

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

IPZA65R029CFD7XKSA1

650V FET COOLMOS TO247

onsemi

NVMFS5C410NWFT1G-M

MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN

stmicroelectronics

STB40NS15T4

MOSFET N-CH 150V 40A D2PAK

stmicroelectronics

STP9NM40N

MOSFET N-CH 400V 5.6A TO220