Производитель Номер продукта:
IPP65R125C7XKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPP65R125C7XKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 650 V 18A (Tc) 101W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Инвентаризация:
470 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12804450
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPP65R125C7XKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™ C7
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
125mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 440µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1670 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
101W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IPP65R125
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
SP001080132
2156-IPP65R125C7XKSA1
INFINFIPP65R125C7XKSA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFU3504PBF
MOSFET N-CH 40V 30A IPAK
IRFR3708TRRPBF
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
IRFIZ48N
MOSFET N-CH 55V 36A TO220AB FP
