Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IPP65R190E6XKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPP65R190E6XKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 650 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Инвентаризация:
580 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12806787
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPP65R190E6XKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Not For New Designs
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20.2A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 730µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
73 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1620 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
151W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IPP65R190
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IPP65R190E6XKSA1
HTML Спецификация
IPP65R190E6XKSA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
INFINFIPP65R190E6XKSA1
SP000849876
2156-IPP65R190E6XKSA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
TK17E65W,S1X
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
12
Номер части
TK17E65W,S1X-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.35
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
FCP190N65F
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1600
Номер части
FCP190N65F-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.98
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STP26N60M2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
STP26N60M2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.34
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STP21N65M5
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2997
Номер части
STP21N65M5-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.32
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
FCP150N65F
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
FCP150N65F-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.31
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SPP100N06S2L-05
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
IRFS7434-7PPBF
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
IRLR014NTRL
MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
IRL40S212
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK