Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IPP65R420CFDXKSA2
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPP65R420CFDXKSA2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 650 V 8.7A (Tc) 83.3W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Инвентаризация:
493 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12803124
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPP65R420CFDXKSA2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™ CFD2
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8.7A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
420mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 300µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
31.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
870 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
83.3W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IPP65R420
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IPP65R420CFDXKSA2
HTML Спецификация
IPP65R420CFDXKSA2-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
IPP65R420CFDXKSA2-DG
448-IPP65R420CFDXKSA2
SP001987358
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STP13N80K5
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
312
Номер части
STP13N80K5-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.60
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STP11N60DM2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
896
Номер части
STP11N60DM2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.68
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STP10NM60N
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1163
Номер части
STP10NM60N-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.29
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
FCP7N60
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1000
Номер части
FCP7N60-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.05
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IXFP14N60P
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
IXFP14N60P-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.90
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPI037N06L3GHKSA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
IRF6215L
MOSFET P-CH 150V 13A TO262
IRF3808LPBF
MOSFET N-CH 75V 106A TO262
IPU80R1K4CEBKMA1
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3