Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IPP80N06S2L09AKSA2
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPP80N06S2L09AKSA2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 190W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12805219
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPP80N06S2L09AKSA2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
55 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8.5mOhm @ 52A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 125µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2620 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
190W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3-1
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IPP80N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IPP80N06S2L09AKSA2
HTML Спецификация
IPP80N06S2L09AKSA2-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
INFINFIPP80N06S2L09AKSA2
SP001061718
2156-IPP80N06S2L09AKSA2
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STP80NF55-08
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
48
Номер части
STP80NF55-08-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.25
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IPP80N06S2L07AKSA2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
204
Номер части
IPP80N06S2L07AKSA2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.98
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRL3705NS
MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
IRFR3303TRR
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
IRF7832Z
MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
IPP039N04LGXKSA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3