Производитель Номер продукта:
IPP80N06S2L11AKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPP80N06S2L11AKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 158W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Инвентаризация:
12805057
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPP80N06S2L11AKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Discontinued at Digi-Key
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
55 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
11mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 93µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2075 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
158W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3-1
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IPP80N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
IPP80N06S2L-11-DG
SP000218175
IPP80N06S2L-11
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IXTP90N055T2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
IXTP90N055T2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.06
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF7811WGTRPBF
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
IRFR3709ZTRLPBF
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
IPP041N04NGHKSA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
