Производитель Номер продукта:
IPP90R800C3XKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPP90R800C3XKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 900 V 6.9A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Инвентаризация:
12803413
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPP90R800C3XKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
900 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6.9A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
800mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 460µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1100 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
104W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3-1
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IPP90R
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
SP000413748
SP000683102
IPP90R800C3
IPP90R800C3-DG
IFEINFIPP90R800C3XKSA1
2156-IPP90R800C3XKSA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPP90R800C3XKSA2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
500
Номер части
IPP90R800C3XKSA2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.05
Тип замещения
Direct
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPD50R399CPATMA1
LOW POWER_LEGACY
IPA70R900P7SXKSA1
MOSFET N-CH 700V 6A TO220
IPC218N04N3X7SA1
MV POWER MOS