Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IPS65R950C6AKMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPS65R950C6AKMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO251-3
Подробное описание:
N-Channel 650 V 4.5A (Tc) 37W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-11
Инвентаризация:
150 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12804804
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPS65R950C6AKMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
950mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 200µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
15.3 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
328 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
37W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO251-3-11
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Базовый номер продукта
IPS65R
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IPS65R950C6AKMA1
HTML Спецификация
IPS65R950C6AKMA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,500
Другие названия
INFINFIPS65R950C6AKMA1
SP000991122
2156-IPS65R950C6AKMA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STU7N65M2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
844
Номер части
STU7N65M2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.56
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IPS70R900P7SAKMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
821
Номер части
IPS70R900P7SAKMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.22
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPS80R2K4P7AKMA1
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3
IRFB3607GPBF
MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
IRFI520N
MOSFET N-CH 100V 7.6A TO220AB FP
IRF3805SPBF
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK