Производитель Номер продукта:
IPS70R1K4P7SAKMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPS70R1K4P7SAKMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3
Подробное описание:
N-Channel 700 V 4A (Tc) 22.7W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Инвентаризация:
12809857
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPS70R1K4P7SAKMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™ P7
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
700 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 40µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
4.7 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
158 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
22.7W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO251-3
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Базовый номер продукта
IPS70R1
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
75
Другие названия
IPS70R1K4P7SAKMA1-DG
SP001499706
448-IPS70R1K4P7SAKMA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TP2424N8-G
MOSFET P-CH 240V 316MA TO243AA
IRFHM8330TRPBF
MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
IRFU5305PBF
MOSFET P-CH 55V 31A IPAK
