Производитель Номер продукта:
IPS80R1K2P7AKMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPS80R1K2P7AKMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3
Подробное описание:
N-Channel 800 V 4.5A (Tc) 37W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-342
Инвентаризация:
12805799
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPS80R1K2P7AKMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™ P7
Статус продукта
Last Time Buy
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 80µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
300 pF @ 500 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
37W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO251-3-342
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Базовый номер продукта
IPS80R1
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,500
Другие названия
2156-IPS80R1K2P7AKMA1
SP001644626
INFINFIPS80R1K2P7AKMA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STU6N60M2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
4
Номер части
STU6N60M2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.46
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPP65R190CFDXKSA2
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220-3
IRLML6302TR
MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23
IRL3715ZSPBF
MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
