Производитель Номер продукта:
IPS80R900P7AKMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPS80R900P7AKMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 6A TO251-3
Подробное описание:
N-Channel 800 V 6A (Tc) 45W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Инвентаризация:
12803309
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPS80R900P7AKMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™ P7
Статус продукта
Last Time Buy
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
900mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 110µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
350 pF @ 500 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
45W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO251-3
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Базовый номер продукта
IPS80R900
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,500
Другие названия
SP001633526
2156-IPS80R900P7AKMA1
ROCINFIPS80R900P7AKMA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPU80R900P7AKMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1500
Номер части
IPU80R900P7AKMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.47
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPD80R3K3P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
IRFB4710PBF
MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
IRF7424PBF
MOSFET P-CH 30V 11A 8SO