Производитель Номер продукта:
IPSA70R600CEAKMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPSA70R600CEAKMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 700V 10.5A TO251-3
Подробное описание:
N-Channel 700 V 10.5A (Tc) 86W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Инвентаризация:
12803370
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPSA70R600CEAKMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Last Time Buy
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
700 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
600mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 210µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
474 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
86W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO251-3
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Базовый номер продукта
IPSA70
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,500
Другие названия
SP001605364
IFEINFIPSA70R600CEAKMA1
2156-IPSA70R600CEAKMA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPSA70R600P7SAKMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
IPSA70R600P7SAKMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.27
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF7467TR
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
IPC60R360P7X7SA1
MOSFET N-CH DIE
IPP080N03L G
MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3