Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IPSA70R900P7SAKMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPSA70R900P7SAKMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 700V 6A TO251-3
Подробное описание:
N-Channel 700 V 6A (Tc) 30.5W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Инвентаризация:
4 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12805467
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPSA70R900P7SAKMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™ P7
Статус продукта
Last Time Buy
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
700 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
900mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 60µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
6.8 nC @ 400 V
Vgs (макс.)
±16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
211 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
30.5W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO251-3
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Базовый номер продукта
IPSA70
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IPSA70R900P7SAKMA1
HTML Спецификация
IPSA70R900P7SAKMA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
75
Другие названия
IPSA70R900P7S
SP001664790
2156-IPSA70R900P7SAKMA1
INFINFIPSA70R900P7SAKMA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STU7NM60N
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
650
Номер части
STU7NM60N-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.92
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STU7N60M2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3000
Номер части
STU7N60M2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.49
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFSL3806PBF
MOSFET N-CH 60V 43A TO262
IPW60R075CPAFKSA1
AUTOMOTIVE
IRF7807D1PBF
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
IRF7403PBF
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SO