Производитель Номер продукта:
IPT008N06NM5LFATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPT008N06NM5LFATMA1-DG
Описание:
TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Подробное описание:
N-Channel 60 V 454A (Tc) 278W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8
Инвентаризация:
12969002
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPT008N06NM5LFATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
454A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
0.8mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.6V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
185 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
980 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
278W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-HSOF-8
Упаковка / Чехол
8-PowerSFN
Базовый номер продукта
IPT008N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
448-IPT008N06NM5LFATMA1CT
448-IPT008N06NM5LFATMA1TR
IPT008N06NM5LF
448-IPT008N06NM5LFTR-DG
SP004166942
448-IPT008N06NM5LFCT-DG
448-IPT008N06NM5LFCT
448-IPT008N06NM5LFTR
448-IPT008N06NM5LFATMA1DKR
448-IPT008N06NM5LFDKR-DG
448-IPT008N06NM5LFDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPT039N15N5XTMA1
TRENCH >=100V PG-HSOF-8
IMT65R039M1HXTMA1
SILICON CARBIDE MOSFET PG-HSOF-8
IMBG65R057M1HXTMA1
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-