IPT010N08NM5ATMA1
Производитель Номер продукта:

IPT010N08NM5ATMA1

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IPT010N08NM5ATMA1-DG

Описание:

TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Подробное описание:
N-Channel 80 V 43A (Ta), 425A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8

Инвентаризация:

12958110
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IPT010N08NM5ATMA1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
43A (Ta), 425A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.05mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.8V @ 280µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
223 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
16000 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.8W (Ta), 375W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-HSOF-8
Упаковка / Чехол
8-PowerSFN
Базовый номер продукта
IPT010N

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,000
Другие названия
SP005560711
448-IPT010N08NM5ATMA1DKR
448-IPT010N08NM5ATMA1TR
448-IPT010N08NM5ATMA1CT

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

IRFR310TRRPBF

MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK

vishay-siliconix

IRFPF50

MOSFET N-CH 900V 6.7A TO247-3

vishay-siliconix

IRFP360

MOSFET N-CH 400V 23A TO247-3

onsemi

FDMC8588A

MOSFET N-CH