Производитель Номер продукта:
IPT012N08N5ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPT012N08N5ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Подробное описание:
N-Channel 80 V 300A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Инвентаризация:
4930 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12803217
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPT012N08N5ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
300A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.2mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.8V @ 280µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
223 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
17000 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
375W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-HSOF-8-1
Упаковка / Чехол
8-PowerSFN
Базовый номер продукта
IPT012
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
IPT012N08N5ATMA1TR
IPT012N08N5ATMA1DKR
SP001227054
IPT012N08N5ATMA1CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPT043N15N5ATMA1
MV POWER MOS
IRFR2607ZTRPBF
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
MIC94052BC6-TR
MOSFET P-CH 6V 2A SC70-6
