Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IPT020N10N3ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPT020N10N3ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Подробное описание:
N-Channel 100 V 300A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Инвентаризация:
2232 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12803227
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPT020N10N3ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Not For New Designs
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
300A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 272µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
156 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
11200 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
375W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-HSOF-8-1
Упаковка / Чехол
8-PowerSFN
Базовый номер продукта
IPT020
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IPT020N10N3ATMA1
HTML Спецификация
IPT020N10N3ATMA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
IPT020N10N3ATMA1CT
IPT020N10N3
IPT020N10N3ATMA1TR
-IPT020N10N3ATMA1
SP001100160
IPT020N10N3ATMA1DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
FDBL86062-F085
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3980
Номер части
FDBL86062-F085-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
3.38
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPW60R280P6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
IRFH5110TRPBF
MOSFET N-CH 100V 11A/63A 8PQFN
IRF7704TRPBF
MOSFET P-CH 40V 4.6A 8TSSOP
IRFH7190ATRPBF
MOSFET N-CH 8-TDSON