Производитель Номер продукта:
IPT029N08N5ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPT029N08N5ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 80V 52A/169A HSOF-8
Подробное описание:
N-Channel 80 V 52A (Ta), 169A (Tc) 168W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Инвентаризация:
12803084
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPT029N08N5ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™ 5
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
52A (Ta), 169A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.9mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.8V @ 108µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6500 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
168W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-HSOF-8-1
Упаковка / Чехол
8-PowerSFN
Базовый номер продукта
IPT029
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
SP001581494
IPT029N08N5ATMA1DKR
INFINFIPT029N08N5ATMA1
IPT029N08N5ATMA1CT
IPT029N08N5ATMA1-DG
IPT029N08N5ATMA1TR
2156-IPT029N08N5ATMA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFS7534-7PPBF
MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
IRF7469TRPBF
MOSFET N-CH 40V 9A 8SO
IPI120N04S302AKSA1
MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3
