Производитель Номер продукта:
IPT059N15N3ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPT059N15N3ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
Подробное описание:
N-Channel 150 V 155A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Инвентаризация:
2646 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12803768
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPT059N15N3ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
150 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
155A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
8V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5.9mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 270µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
7200 pF @ 75 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
375W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-HSOF-8-1
Упаковка / Чехол
8-PowerSFN
Базовый номер продукта
IPT059
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
SP001100162
2156-IPT059N15N3ATMA1
IPT059N15N3ATMA1DKR
IPT059N15N3ATMA1CT
IPT059N15N3
IPT059N15N3ATMA1TR
-IPT059N15N3ATMA1
IFEINFIPT059N15N3ATMA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPD079N06L3GBTMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
IRFH5207TR2PBF
MOSFET N-CH 75V 5X6 PQFN
IPW65R110CFDFKSA1
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
