Производитель Номер продукта:
IPT60R080G7XTMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPT60R080G7XTMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 29A 8HSOF
Подробное описание:
N-Channel 600 V 29A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-2
Инвентаризация:
5465 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12803288
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPT60R080G7XTMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolMOS™ G7
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
80mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 490µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1640 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
167W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-HSOF-8-2
Упаковка / Чехол
8-PowerSFN
Базовый номер продукта
IPT60R080
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
INFINFIPT60R080G7XTMA1
IPT60R080G7XTMA1DKR
IPT60R080G7XTMA1CT
IPT60R080G7XTMA1TR
2156-IPT60R080G7XTMA1
SP001615904
IPT60R080G7XTMA1-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF7207PBF
MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SO
IPP60R190P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
IPD075N03LGBTMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31