Производитель Номер продукта:
IPT60R145CFD7XTMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPT60R145CFD7XTMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 19A 8HSOF
Подробное описание:
N-Channel 600 V 19A (Tc) 116W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Инвентаризация:
4000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12945194
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPT60R145CFD7XTMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolMOS™ CFD7
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
145mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 300µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1199 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
116W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-HSOF-8-1
Упаковка / Чехол
8-PowerSFN
Базовый номер продукта
IPT60R145
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
448-IPT60R145CFD7XTMA1CT
SP001962924
448-IPT60R145CFD7XTMA1DKR
448-IPT60R145CFD7XTMA1TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPT60R055CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 44A 8HSOF
IST007N04NM6AUMA1
MOSFET N-CH 40V 54A/440A HSOF-5
IPLK60R600PFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 7A THIN-PAK
