Производитель Номер продукта:
IPTG025N10NM5ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPTG025N10NM5ATMA1-DG
Описание:
TRENCH >=100V PG-HSOG-8
Подробное описание:
N-Channel 100 V 27A (Ta), 206A (Tc) 3.8W (Ta), 214W (Tc) Surface Mount PG-HSOG-8-1
Инвентаризация:
12973650
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPTG025N10NM5ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
27A (Ta), 206A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.5mOhm @ 150A 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.8V @ 158µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
8800 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.8W (Ta), 214W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-HSOG-8-1
Упаковка / Чехол
8-PowerSMD, Gull Wing
Базовый номер продукта
IPTG025N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,800
Другие названия
SP005575193
448-IPTG025N10NM5ATMA1TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDMS86263P-23507X
FET -150V 53.0 MOHM PQFN56
PJD2NA70_L2_00001
700V N-CHANNEL MOSFET
2SJ254
2SJ254 - P-CHANNEL MOS SILICON F
