Производитель Номер продукта:
IPTG063N15NM5ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPTG063N15NM5ATMA1-DG
Описание:
TRENCH >=100V
Подробное описание:
N-Channel 150 V 16.2A (Ta), 122A (Tc) 3.8W (Ta), 214W (Tc) Surface Mount PG-HSOG-8
Инвентаризация:
1786 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12988755
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPTG063N15NM5ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™ 5
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
150 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
16.2A (Ta), 122A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
8V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.6V @ 163µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4800 pF @ 75 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.8W (Ta), 214W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-HSOG-8
Упаковка / Чехол
8-PowerSMD, Gull Wing
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,800
Другие названия
448-IPTG063N15NM5ATMA1CT
448-IPTG063N15NM5ATMA1DKR
SP005676956
448-IPTG063N15NM5ATMA1TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
S2M0080120K
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
C3M0040120K
1200V 40MOHM SIC MOSFET
STD20NF06L
TO-252 MOSFETS ROHS
